삼성전자에서 HKMG 공정 DDR5 메모리 개발 완료

 

현재 삼성전자가 차기 RAM 메모리인 DDR5를 HKMG 공정을 사용하여 차기 DDR5 메모리의 최대 용량인 512GB 용량의 메모리를 만들어 내는 데 성공하였습니다.

 

DDR5는 아직까지는 개발단계에 있지만 DDR4 대비 빠른 속도와 높은 대역폭을 가질 것으로 보고 있으며 향 후 메모리 반도체에서 엄청난 이변을 보여줄 것으로 보고 있습니다.

 

 

 

◆ HKMG 공정이란?

 

기존 SiO₂ 와 HKMG의 차이

 

기존에는 SiO₂ (이산화규소)를 사용하였으나 공정 크기가 줄어들면 줄어들수록 Source(S)와 Drain(D) 와의 거리가 좁아지면서 누설전류가 발생되어 불필요한 전력소비가 발생하였습니다. 

 

누설전류가 발생하게 되면 필요 이상의 발열과 성능 저하, 전성비 저하를 불러오게 되며 원하는 성능을 제때 못 뽑는 일이 발생하게 됩니다.

 

 

 

하지만 삼성전자는 2007년 인텔에서 발견한 High-K라는 물질을 사용하여 누설 전류를 차단해주는 신물질을 사용하였으며 이 공정을 HKMG ( High-K Metal Gate )이라고 부릅니다.

 

물론 HKMG에도 한계점이 있기 때문에 FinFET이라는 새로운 공정을 만들어 냈지만 여기서는 논외로 하겠습니다.

 

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◆ DDR5 출시 시기

 

DDR5는 여러 기업에서 개발이 되어가고 있지만 아직은 출시 시기가 이르다고 판단하고 있지만 DDR5와 DDR4가 서로 호환이 되지 않기 때문에 소비자 입장에서는 많은 것을 변경해야 한다는 단점이 있습니다.

 

또한 DDR5를 일반 가정용으로 별도로 생산해야 하기 때문에 과정이 복잡하고 생산라인을 갖춰야 한다는 것이며 이로 인한 여러 문제로 올해에는 출시가 안될 것으로 보고 있습니다.

 

 

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